名稱:ALD原子層沉積系統(tǒng)(熱法沉積系統(tǒng))
產(chǎn)地:中國(guó)
型號(hào):Thermal-ALD E200S
工藝
可沉積薄膜種類和應(yīng)用場(chǎng)景包括:
? High-K介電材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrAlQ, Ta2O5, La2O3);
? 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN, Ru, In);
? 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):
? 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN);
? 金屬(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
? 壓電層 (ZnO, AIN, ZnS);
? 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
? 光子晶體(ZnO, TiO2, Ta3N5);等
機(jī)架Cabinet
? 框架采用進(jìn)口鋁材搭建,重量輕、承載能力強(qiáng),散熱性好
? 外殼采用碳鋼烤漆及圓角處理,輕便美觀,拆卸方便,符合人體工學(xué)
? 顯示屏360度自由旋轉(zhuǎn),可調(diào)視距、視角、自由懸停
控制系統(tǒng)
? 控制系統(tǒng)采用 PLC+工控機(jī)+19 寸觸摸屏方式實(shí)現(xiàn),系統(tǒng)通過(guò)高速以太網(wǎng)進(jìn)行通訊。
? 采用 PLC 對(duì)設(shè)備進(jìn)行實(shí)時(shí)控制,同時(shí)實(shí)現(xiàn)基于Windows7 操作系統(tǒng)的人機(jī)界面互動(dòng),支持歷史數(shù)據(jù)、工藝配方、報(bào)警及日志的儲(chǔ)存和導(dǎo)入導(dǎo)出的功能
? 設(shè)備支持“一鍵沉積”功能,點(diǎn)擊運(yùn)行按鍵即可自動(dòng)完成真空抽取、升溫、材料沉積、降溫等一系列步驟。實(shí)現(xiàn)單一或多層材料的沉積;提供獨(dú)立的手動(dòng)操作頁(yè)面,支持手動(dòng)開(kāi)關(guān)閥門的操作,人機(jī)交互同時(shí)支持鼠標(biāo)、鍵盤和觸摸的輸入方式
? 設(shè)備運(yùn)行軟件提供用戶權(quán)限管理功能,可根據(jù)用戶級(jí)別設(shè)定使用權(quán)限,防止誤操作,保證設(shè)備和人身安全
? 設(shè)備運(yùn)行軟件提供邏輯互鎖功能,防止用戶誤操作,并彈出信息對(duì)話框進(jìn)行提示
? 設(shè)備運(yùn)行軟件集成安全及參數(shù)配置、IO互鎖列表信息功能
真空系統(tǒng)
? 真空測(cè)量采用雙真空壓力計(jì)組合方式,工藝數(shù)據(jù)更真實(shí),更迅速,更精確,為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來(lái)源,為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障
設(shè)備規(guī)格
襯底尺寸 | 200mm Dia (8 inch)(可定制) |
工藝溫度 | RT~500°C (可定制) |
前驅(qū)體路數(shù) | 最大支持6路前驅(qū)體氣路(可定制),包含固、液態(tài)前驅(qū)體源瓶 |
加熱系統(tǒng) | RT~150℃ |
反應(yīng)物路數(shù) | 支持2路反應(yīng)物氣路(可定制) |
載氣 | N2, MFC 流量控制(可定制) |
壓力監(jiān)測(cè) | 雙薄膜規(guī)組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr |
本底真空度 | <5x10-3 Torr |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)油泵 |
控制系統(tǒng) | 19寸顯示器,支持觸控工業(yè)級(jí)嵌入式工控機(jī),高可靠性,支持?jǐn)U展 |
操作系統(tǒng) | Win7 操作系統(tǒng)工業(yè)級(jí)可編程邏輯控制器,支持現(xiàn)場(chǎng)總線與實(shí)時(shí)多任務(wù)處理操作 |
高溫加熱模塊 | 獨(dú)立的源瓶加熱模塊,可支持RT~200℃ |
預(yù)留模塊 | 預(yù)留等離子體系統(tǒng)接口,無(wú)需更換腔體即可直接升級(jí)至等離子體系統(tǒng)(PEALD),實(shí)現(xiàn)Thermal-ALD與PEALD的雙模式切換 |
應(yīng)用領(lǐng)域
1.納米材料:ALD 技術(shù)沉積參數(shù)高度可控,可在各種尺寸的復(fù)雜三維微納結(jié)構(gòu)基底上,實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度的薄膜形成和生長(zhǎng),可制備出高均勻性、高精度、高保形的納米級(jí)薄膜。ALD具有高致密性以及高縱寬比結(jié)構(gòu)均勻性,為MEMS機(jī)械耐磨損層、抗腐蝕層、介電層、憎水涂層、生物相容性涂層、刻蝕掩膜層等提供優(yōu)質(zhì)解決方案。ALD技術(shù)沉積參數(shù)高度可控,可通過(guò)精準(zhǔn)控制循環(huán)數(shù)來(lái)控制MTJ所需達(dá)到的各項(xiàng)參數(shù),是適用于MTJ制造的工藝方案之一。ALD技術(shù)可通過(guò)表面修飾,改善納米孔的生物相容性,同時(shí)提升抗菌抑菌和促進(jìn)細(xì)胞合成。
2.太陽(yáng)能電池:ALD基材料在c-Si太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用始于Al2O3,Al2O3是一種非常有效的表面鈍化層,被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽(yáng)能電池的效率并應(yīng)用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中,ALD的應(yīng)用研究從表面鈍化層擴(kuò)展到載流子傳輸材料[8]。
3.催化:ALD技術(shù)很容易地控制納米顆粒的大小、孔隙結(jié)構(gòu)、含量和分散,有效設(shè)計(jì)出核殼結(jié)構(gòu)、氧化物/金屬倒載結(jié)構(gòu)、氧化物限域結(jié)構(gòu)、具有多金屬管套結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu),且獨(dú)特的自限制特性可實(shí)現(xiàn)催化材料在高比表面材料上的均勻和可控沉積,實(shí)現(xiàn)一步步和“自底向上”的方式在原子層面上構(gòu)建復(fù)雜結(jié)構(gòu)的異質(zhì)催化劑材料而得到廣泛研究。利用ALD技術(shù)具有飽和自限制的表面反應(yīng)特性,有效抑制金屬有機(jī)化合物、配體的空間位置效應(yīng),天然的將金屬中心原子互相隔離開(kāi),抑制金屬原子聚集,合成單原子催化劑。利用ALD技術(shù)有效調(diào)控金屬與載體間的相互作用的特性,可獲得單金屬催化劑,如Ru、Pt、Pd等貴金屬。利用ALD技術(shù)能調(diào)控兩種金屬元素生長(zhǎng)順序、循環(huán)周期數(shù)的特性來(lái)精準(zhǔn)得到雙金屬納米催化劑,合成原子級(jí)精準(zhǔn)的超細(xì)金屬團(tuán)簇,如PtPd、PtRu、PdRu等雙金屬納米顆粒。利用ALD技術(shù)制備金屬氧化物,不僅可以制備性能更加優(yōu)良的多相催化劑,而且可以對(duì)負(fù)載型催化劑進(jìn)行改性,達(dá)到修飾、保護(hù)催化劑的目的。
4.鋰電池:ALD在鋰離子電池中的應(yīng)用特點(diǎn):(1)電極材料的制備和改性;(2)陰極材料上的保護(hù)鍍膜;(3)陽(yáng)極材料上的人造固體電解質(zhì)相間(SEI);(4)鋰金屬陽(yáng)極鈍化和防止枝晶生長(zhǎng);(5)ALD作用的固態(tài)電解質(zhì)(SSE);(6)隔離膜上的保護(hù)涂層;
原速科技ALD技術(shù)在鋰電池領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面:
a、鋰電池PP/PE隔膜包覆,改善隔膜的浸潤(rùn)性,耐壓性,熱收縮性能
b、鋰電池正極包覆,改善電池的倍率性能,循環(huán)性能等
c、鋰電池負(fù)極包覆,改善電池的倍率性能,循環(huán)性能以及安全性能
5.光學(xué)鍍膜:ALD薄膜以飽和吸附的layer-by-layer生長(zhǎng)模式,可在結(jié)構(gòu)復(fù)雜的幾何表面,如大曲面及高縱深比深孔結(jié)構(gòu),大面積形成高均勻性薄膜,且膜層相較于PVD膜更為致密,在界面處的結(jié)合力更強(qiáng),更適用于未來(lái)工業(yè)界先進(jìn)精密光學(xué)器件的制造。
6.生物醫(yī)療:ALD可以通過(guò)低溫沉積形成非常致密的保護(hù)膜,由于是納米級(jí)別的膜厚其本身對(duì)醫(yī)療設(shè)備也不會(huì)造成影響,沉積ALD涂層后可以大幅度增加植入設(shè)備的壽命以及安全性,也有可能有效的減少更換手術(shù)的頻率;同時(shí)ALD有多種材料都具有生物相容性,這種涂層對(duì)人體組織是沒(méi)有任何細(xì)胞毒性的,這使得在再生醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中,用于對(duì)細(xì)胞構(gòu)建生物相容性底物的制備時(shí),ALD沉積表面涂層能滿足對(duì)新型生物相容性材料的需求;在藥物方面,ALD涂層可以有效的保護(hù)顆粒不受周圍空氣和水分的影響,從而大幅度的延長(zhǎng)藥物的保質(zhì)期。
7.OLED:幾十納米厚度的ALD封裝膜甚至可媲美傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)的阻隔效果,同時(shí)具有良好的透光率、熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕性及與基底的粘結(jié)性等性質(zhì);ALD封裝薄膜因其納米級(jí)的膜厚,可以實(shí)現(xiàn)很大程度上的彎曲并保持封裝效果不變,這一特性可完美兼容柔性OLED器件封裝,真正做到顯示屏的可折疊、卷曲;ALD薄膜優(yōu)異的保型性使其在一些復(fù)雜形貌和三維納米結(jié)構(gòu)的LED表面實(shí)現(xiàn)出色的鈍化保護(hù)層,有效地起到阻隔水氧的作用,提高性能;用ALD在LED表面沉積鈍化膜還可以很好地修補(bǔ)被等離子刻蝕造成的破壞性表面,可有效降低漏電流,顯著提高LED效率。