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名稱：ALD原子層沉積系統(tǒng)（手套箱集成系統(tǒng)）
產(chǎn)地：中國
型號：Glove Box Integrated
工藝
可沉積薄膜種類和應用場景包括：
? High-K介電材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrAlQ, Ta2O5, La2O3);
? 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN, Ru, In);
? 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):
? 生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN);
? 金屬(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
? 壓電層 (ZnO, AIN, ZnS);
? 透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);
? 光子晶體(ZnO, TiO2, Ta3N5);等
? 框架采用進口鋁材搭建，重量輕、承載能力強，散熱性好
? 外殼采用碳鋼烤漆及圓角處理，輕便美觀，拆卸方便，符合人體工學
? 顯示屏360度自由旋轉(zhuǎn)，可調(diào)視距、視角、自由懸停
控制系統(tǒng)
? 控制系統(tǒng)采用 PLC+工控機+19 寸觸摸屏方式實現(xiàn)，系統(tǒng)通過高速以太網(wǎng)進行通訊。
? 采用 PLC 對設(shè)備進行實時控制，同時實現(xiàn)基于Windows7 操作系統(tǒng)的人機界面互動，支持歷史數(shù)據(jù)、工藝配方、報警及日志的儲存和導入導出的功能
? 設(shè)備支持“一鍵沉積”功能，點擊運行按鍵即可自動完成真空抽取、升溫、材料沉積、降溫等一系列步驟。實現(xiàn)單一或多層材料的沉積；提供獨立的手動操作頁面，支持手動開關(guān)閥門的操作，人機交互同時支持鼠標、鍵盤和觸摸的輸入方式
? 設(shè)備運行軟件提供用戶權(quán)限管理功能，可根據(jù)用戶級別設(shè)定使用權(quán)限，防止誤操作，保證設(shè)備和人身安全
? 設(shè)備運行軟件提供邏輯互鎖功能，防止用戶誤操作，并彈出信息對話框進行提示
? 設(shè)備運行軟件集成安全及參數(shù)配置、IO互鎖列表信息功能
真空系統(tǒng)
? 真空測量采用雙真空壓力計組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復性提供了可靠的保障
設(shè)備規(guī)格
| 襯底尺寸 | 200mm Dia （8 inch）（可定制） |
| 工藝溫度 | RT~500°C （可定制） |
| 前驅(qū)體路數(shù) | 最大支持6路前驅(qū)體氣路（可定制），包含固、液態(tài)前驅(qū)體源瓶 |
| 加熱系統(tǒng) | RT~150℃ |
| 反應物路數(shù) | 支持2路反應物氣路（可定制） |
| 載氣 | N2, MFC 流量控制（可定制） |
| 等離子體系統(tǒng) | 支持4路等離子體氣體（可定制） |
| 射頻功率 | 0~1000W |
| 壓力監(jiān)測 | 雙薄膜規(guī)組合（耐腐蝕），0.005Torr - 1000Torr |
| 本底真空度 | <5x10-3 Torr |
| 真空系統(tǒng) | 標準油泵 |
| 控制系統(tǒng) | 19寸顯示器，支持觸控工業(yè)級嵌入式工控機，高可靠性，支持擴展 |
| 操作系統(tǒng) | Win7 操作系統(tǒng)，工業(yè)級可編程邏輯控制器，支持現(xiàn)場總線與實時多任務(wù)處理操作 |
| 高溫加熱模塊 | 獨立的源瓶加熱模塊，可支持RT~200℃ |
| 手套箱系統(tǒng) | 設(shè)備集成手套箱，標準可支持雙手套，單工位（可定制） |
應用領(lǐng)域
1.納米材料：ALD 技術(shù)沉積參數(shù)高度可控，可在各種尺寸的復雜三維微納結(jié)構(gòu)基底上，實現(xiàn)原子級精度的薄膜形成和生長，可制備出高均勻性、高精度、高保形的納米級薄膜。ALD具有高致密性以及高縱寬比結(jié)構(gòu)均勻性，為MEMS機械耐磨損層、抗腐蝕層、介電層、憎水涂層、生物相容性涂層、刻蝕掩膜層等提供優(yōu)質(zhì)解決方案。ALD技術(shù)沉積參數(shù)高度可控，可通過精準控制循環(huán)數(shù)來控制MTJ所需達到的各項參數(shù)，是適用于MTJ制造的工藝方案之一。ALD技術(shù)可通過表面修飾，改善納米孔的生物相容性，同時提升抗菌抑菌和促進細胞合成。
2.太陽能電池：ALD基材料在c-Si太陽能電池中的應用始于Al2O3，Al2O3是一種非常有效的表面鈍化層，被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽能電池的效率并應用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中，ALD的應用研究從表面鈍化層擴展到載流子傳輸材料[8]。
3.催化：ALD技術(shù)很容易地控制納米顆粒的大小、孔隙結(jié)構(gòu)、含量和分散，有效設(shè)計出核殼結(jié)構(gòu)、氧化物/金屬倒載結(jié)構(gòu)、氧化物限域結(jié)構(gòu)、具有多金屬管套結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)，且獨特的自限制特性可實現(xiàn)催化材料在高比表面材料上的均勻和可控沉積，實現(xiàn)一步步和“自底向上”的方式在原子層面上構(gòu)建復雜結(jié)構(gòu)的異質(zhì)催化劑材料而得到廣泛研究。利用ALD技術(shù)具有飽和自限制的表面反應特性，有效抑制金屬有機化合物、配體的空間位置效應，天然的將金屬中心原子互相隔離開，抑制金屬原子聚集，合成單原子催化劑。利用ALD技術(shù)有效調(diào)控金屬與載體間的相互作用的特性，可獲得單金屬催化劑，如Ru、Pt、Pd等貴金屬。利用ALD技術(shù)能調(diào)控兩種金屬元素生長順序、循環(huán)周期數(shù)的特性來精準得到雙金屬納米催化劑，合成原子級精準的超細金屬團簇，如PtPd、PtRu、PdRu等雙金屬納米顆粒。利用ALD技術(shù)制備金屬氧化物，不僅可以制備性能更加優(yōu)良的多相催化劑，而且可以對負載型催化劑進行改性，達到修飾、保護催化劑的目的。
4.鋰電池：ALD在鋰離子電池中的應用特點：（1）電極材料的制備和改性；（2）陰極材料上的保護鍍膜；（3）陽極材料上的人造固體電解質(zhì)相間（SEI）；（4）鋰金屬陽極鈍化和防止枝晶生長；（5）ALD作用的固態(tài)電解質(zhì)（SSE）；（6）隔離膜上的保護涂層；
原速科技ALD技術(shù)在鋰電池領(lǐng)域的應用主要有以下幾個方面：
a、鋰電池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸潤性，耐壓性，熱收縮性能
b、鋰電池正極包覆，改善電池的倍率性能，循環(huán)性能等
c、鋰電池負極包覆，改善電池的倍率性能，循環(huán)性能以及安全性能
5.光學鍍膜：ALD薄膜以飽和吸附的layer-by-layer生長模式，可在結(jié)構(gòu)復雜的幾何表面，如大曲面及高縱深比深孔結(jié)構(gòu)，大面積形成高均勻性薄膜，且膜層相較于PVD膜更為致密，在界面處的結(jié)合力更強，更適用于未來工業(yè)界先進精密光學器件的制造。
6.生物醫(yī)療：ALD可以通過低溫沉積形成非常致密的保護膜，由于是納米級別的膜厚其本身對醫(yī)療設(shè)備也不會造成影響，沉積ALD涂層后可以大幅度增加植入設(shè)備的壽命以及安全性，也有可能有效的減少更換手術(shù)的頻率；同時ALD有多種材料都具有生物相容性，這種涂層對人體組織是沒有任何細胞毒性的，這使得在再生醫(yī)學領(lǐng)域中，用于對細胞構(gòu)建生物相容性底物的制備時，ALD沉積表面涂層能滿足對新型生物相容性材料的需求；在藥物方面，ALD涂層可以有效的保護顆粒不受周圍空氣和水分的影響，從而大幅度的延長藥物的保質(zhì)期。
7.OLED：幾十納米厚度的ALD封裝膜甚至可媲美傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)的阻隔效果，同時具有良好的透光率、熱導率、機械強度、耐腐蝕性及與基底的粘結(jié)性等性質(zhì)；ALD封裝薄膜因其納米級的膜厚，可以實現(xiàn)很大程度上的彎曲并保持封裝效果不變，這一特性可完美兼容柔性OLED器件封裝，真正做到顯示屏的可折疊、卷曲；ALD薄膜優(yōu)異的保型性使其在一些復雜形貌和三維納米結(jié)構(gòu)的LED表面實現(xiàn)出色的鈍化保護層，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉積鈍化膜還可以很好地修補被等離子刻蝕造成的破壞性表面，可有效降低漏電流，顯著提高LED效率。