- 概述
- 理由
- 解答問題
- 應(yīng)用指南
- 發(fā)表文章
單層二維過渡金屬二硫化物,如MoS2、WS2和WSe2,是具有大激子結(jié)合能的直接帶隙半導(dǎo)體。它們在光電應(yīng)用方面吸引了越來越多的關(guān)注,包括太陽能電池、光電探測器、發(fā)光二極管和光電晶體管、電容儲能、光動力癌癥治療和柔性器件上的傳感。雖然光致發(fā)光已經(jīng)被廣泛應(yīng)用,但自由電子注入引起的發(fā)光可能會成為這些新材料的另一個重要應(yīng)用。然而,由于單層中電子空穴產(chǎn)生過程的低橫截面,陰極發(fā)光效率低下。
在這里,我們首次表明,當(dāng)單層半導(dǎo)體夾在具有較高能隙的六方硼氮化物(hBN)層之間時,可以在范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)中明顯觀察到單層硫族化物半導(dǎo)體的陰極發(fā)光。發(fā)射強(qiáng)度顯示出強(qiáng)烈的依賴于周圍層的厚度,并且增強(qiáng)因子超過500倍。通過陰極發(fā)光光譜研究了懸浮異質(zhì)結(jié)構(gòu)中應(yīng)變誘導(dǎo)的激子峰移。我們的結(jié)果表明,MoS2、WS2和WSe2可能是一種很有前途的陰極發(fā)光材料,用于單光子發(fā)射器、高能粒子探測器、透射電子顯微鏡顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器和場發(fā)射顯示器技術(shù)。