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行業(yè)應(yīng)用

  • 原子層沉積(ALD)在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的應(yīng)用

    302023-11         隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高,晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小,溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),物理氣相沉積(PVD)及化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的...

  • 原子層沉積技術(shù):基于化學(xué)視角

    122023-07       1、ALD表面化學(xué)機(jī)制:ALD是化學(xué)氣相沉積(CVD)的一類變種,其基本原理是將氣相前驅(qū)體以脈沖的形式交替通入反應(yīng)腔體中,氣相前驅(qū)體在基底表面發(fā)生化學(xué)吸附并進(jìn)行自限制的表面化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜的...

  • 鈣鈦礦(ALD)

    242023-04      “碳達(dá)峰”和“碳中和”一直都是能源領(lǐng)域的熱點(diǎn)話題,作為助力“雙碳”戰(zhàn)略的生力軍,光伏產(chǎn)業(yè)具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽能電池,它們具有效率高、穩(wěn)定性好、產(chǎn)業(yè)鏈完備、使用壽命長的優(yōu)勢...

  • 半導(dǎo)體

    242022-08        原子層沉積(ALD)技術(shù)憑借其獨(dú)特的表面自限性生長原理,優(yōu)異的共形性、大面積的均勻性,可適用于復(fù)雜三維表面沉積以及深孔洞均勻填隙生長等特點(diǎn),受到半導(dǎo)體行業(yè)的青睞。 雖然與CVD相比,ALD...

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