由于ZnO具有寬的直接帶隙(3,37 eV)、大的激子結(jié)合能(60 meV)以及優(yōu)異的光學(xué)、壓電和光電性能等特性，越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域認(rèn)識(shí)到這種材料所帶來(lái)的好處，特別是在涉及半導(dǎo)體、壓電、光電和微納米級(jí)高柔性機(jī)械性能的應(yīng)用中，ZnO微/納米線通常是許多領(lǐng)域的首選材料，包括：a、紫外激光器，探測(cè)器和光電二極管:基于ZnO在室溫下的寬直接帶隙和大激子結(jié)合能；b、太陽(yáng)能電池:ZnO微納米線具有較大的陽(yáng)光吸收窗口，而摻雜是調(diào)節(jié)寬帶隙的有效方法；c、納米發(fā)電機(jī):由于半導(dǎo)體之間的強(qiáng)耦合特性，而ZnO微納米線具有壓電性；d、電化學(xué)應(yīng)用:生物和化學(xué)傳感器；e、光學(xué)和機(jī)械應(yīng)用:波導(dǎo)，應(yīng)變和納米力傳感器。

      陰極發(fā)光是研究半導(dǎo)體電子能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)。它的應(yīng)用領(lǐng)域包括缺陷分布分析、載流子動(dòng)力學(xué)和能帶結(jié)構(gòu)的表征，這些參數(shù)對(duì)提高高性能光學(xué)和電子器件的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。Attolight CL系統(tǒng)的特點(diǎn)引出了一個(gè)新的研究領(lǐng)域:1、納米結(jié)構(gòu)的全面表征:具有高達(dá)10nm的空間分辨率，它是研究局部和非局部應(yīng)變效應(yīng)最有力的工具之一，將對(duì)ZnO微納米線研究帶巨大影響；2、使用時(shí)間分辨升級(jí)，從而能在不同應(yīng)變狀態(tài)下得到ZnO微納米線的載流子擴(kuò)散和平均壽命；3、缺陷分析:對(duì)CL光譜的比較提供了缺陷級(jí)別的信息。