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112023-12 原子層沉積技術(ALD)，亦稱原子層外延技術(ALE)，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。由于ALD沉積的絕大多數(shù)金屬和氧化物材料本身就是某些反應中的催化劑，因此ALD在催化...
302023-11 隨著集成電路工藝技術的不斷提高，晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小，溝槽及其側壁的鍍膜技術面臨嚴峻的挑戰(zhàn)，物理氣相沉積（PVD）及化學氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的...
212023-11 植入物被植入人體后，會被蛋白質和細胞覆蓋。為了了解這些界面上的相互作用，需要使用體外工具。允許動態(tài)和靜態(tài)流動條件的實時無標簽平臺被用來了解細胞粘附，并以這種方式提高植入物的兼容性。同樣...
132023-11 鹵化物鈣鈦礦已成為下一代光電應用(如太陽能電池和發(fā)光二極管)的特殊候選者。鈣鈦礦薄膜在微觀和納米尺度上具有非均質性。對納米尺度的理解是開發(fā)和改進這些新型材料的基礎。CL允許在高空...
242023-10 為了使光電(PV)發(fā)電提供世界能源需求的很大一部分，必須降低每瓦特產(chǎn)生的面板成本。低成本、高容量光伏發(fā)電的最佳前景是薄膜無機化合物，包括CdTe和Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)。這兩種材料...
182023-10 對于光伏(PV)和薄膜電池(TFB)來說，要在成本上與化石燃料和傳統(tǒng)電池競爭，高制造成品率至關重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS層以及tbs的LiPON層的針孔導致良率損失和性能降低。掃描電...
112023-10 20世紀下半葉見證了半導體量子結構的出現(xiàn)，這是由于半導體量子結構在發(fā)光方面的卓越性能。將維數(shù)降為點狀量子點(QDs)，量子點與原子表現(xiàn)出有趣的相似之處，人們付出了巨大的努力來評估它們...
282023-08 8月24日，日本福島第一核電站核污染水排海計劃啟動，24日當天的核污染水排放量預計為200到210噸，每日的排放情況將在次日公布。首次排海每天將排放約460噸，持續(xù)17天，合計排放約7800立方米核...
242023-08 由于ZnO具有寬的直接帶隙(3,37 eV)、大的激子結合能(60 meV)以及優(yōu)異的光學、壓電和光電性能等特性，越來越多的應用領域認識到這種材料所帶來的好處，特別是在涉及半導體、壓電、光電和微納米...
162023-08 對燃油經(jīng)濟性的日益重視要求車輛動力系統(tǒng)電氣化，并由新動力的使用提供支持專用于汽車應用的半導體器件。目前的電動汽車系統(tǒng)完全依賴于硅基材料電源，但硅功率器件正迅速接近成熟，其性能有...